Stage – Ingénieur sur l’optimisation de détecteurs quantiques par caractérisation de durée de vie de porteurs minoritaires (H/F)

QUI SOMMES-NOUS ?

Construisons ensemble un avenir de confiance

Thales est un leader mondial des hautes technologies spécialisé dans trois secteurs d'activité : Défense & Sécurité, Aéronautique & Spatial, et Cybersécurité & Identité numérique. Il développe des produits et solutions qui contribuent à un monde plus sûr, plus respectueux de l'environnement et plus inclusif. Le Groupe investit près de 4 milliards d'euros par an en Recherche & Développement, notamment dans des domaines clés de l'innovation tels que l'IA, la cybersécurité, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte près de 81 000 collaborateurs dans 68 pays.

Nos engagements, vos avantages

• Une réussite commune portée par notre culture et excellence technologique, votre expérience et notre ambition partagée
• Un package de rémunération attractif (épargne salariale, variable ou 13ième mois selon les postes, restaurant d'entreprise,…)
• La possibilité de développer vos compétences en continu grâce à nos parcours de formation et nos académies internes #ENTREPRISEAPPRENANTE
• Notre attention portée à votre équilibre personnel et professionnel (Accord télétravail, RTT, congés d'ancienneté, jours enfants malades, guide parentalité, crèches, CSE / ASC,… )
• Des communautés internes permettant de vous engager sur les sujets qui vous tiennent à cœur : innovation, diversité, environnement
• Un environnement inclusif et bienveillant où vous êtes accueilli et valorisé avec notre politique handi-accueillante, notre charte LGBT+, notre initiative #StOpe pour lutter contre le sexisme.

Dans ce cadre nous recherchons un :

Stage - Ingénieur sur l'optimisation de détecteurs quantiques par caractérisation de durée de vie de porteurs minoritaires (H/F)
Basé à Palaiseau (91) - 5 mois

QUI ETES-VOUS ?

• Etudiant en Ecole d'Ingénieur ou formation équivalente, vous préparez un master 2 ?
• Vous possédez des compétences en :

• Physique du solide
• Semi-conducteurs
• Optique, lumière et matière
• Dispositifs quantiques

• Idéalement, vous disposez de compétences en :

• Gestion de projet
• Conception d'émission et réception d'ondes électromagnétique

• Vous êtes intéressé par la conception de composants optiques à semi-conducteurs, leur réalisation et leur caractérisation expérimentale ?
• Vous êtes reconnu pour votre rigueur scientifique, votre capacité à documenter vos codes de simulation et vos expériences de mesure ?

• Enfin vous êtes à l'aise en français et en anglais ?

Gros plus, si vous avez des connaissances de fabrication en salle blanche et de la physique infrarouge.

Vous vous reconnaissez ? Alors découvrez vos futures missions !

CE QUE NOUS POUVONS ACCOMPLIR ENSEMBLE :

Ce stage s'inscrit au sein du III-V Lab, un laboratoire de recherche industriel constitué en Groupement d'Intérêt Economique par ses 3 Membres de tutelle : Thales, Nokia et le CEA. Le III-V Lab conduit des activités de recherche et développement sur les composants microélectronique et optoélectronique à base de semi-conducteurs III-V pour différents domaines d'applications (télécommunications, défense, sécurité, spatial etc.).

L'imagerie dans le proche infrarouge (1-2.5µm) possède de nombreuses applications comme l'aide à la conduite, la surveillance et la défense ou encore l'analyse chimique des objets d'une scène. En pratique la bande du proche infrarouge se borne à 1.65µm pour des raisons technologiques. Les détecteurs les plus performants et les plus répandus sont constitués de matériau III-V InGaAs. Ils possèdent une longueur d'onde de coupure à 1.65µm. De nouvelles applications comme l'observation de la composition chimique de l'atmosphère terrestre au-delà de 1.7µm ou le tri sélectif de déchets nécessitent des détecteurs qui couvrent toute la fenêtre proche infrarouge jusqu'à 2.5µm.

A ce jour, il n'existe pas encore de détecteurs en matériaux III-V établis avec les bonnes performances électro-optiques pour adresser la longueur d'onde de 2.5µm à des températures de fonctionnement non cryogéniques. Une filière technologique semble néanmoins se détacher : la filière GaSb, avec l'utilisation de matériaux quaternaires InGaAsSb ou de super-réseaux InAs/GaSb. Pour développer cette filière, l'objectif va être d'une part d'optimiser les conditions de croissance pour obtenir des matériaux de bonne qualité et d'autre part de déterminer une architecture détectrice performante pour répondre aux besoins des nouvelles applications.

Dans ce contexte, vos missions seront les suivantes :

• Mettre en place un banc de mesure de durée de vie de porteurs de charge minoritaires par décroissance de photoconduction. Un banc de mesure de ce type existe déjà sur le site de Thales TLAS. Il s'agira de dupliquer ce banc au III-V Lab. Ce travail sera réalisé en étroite collaboration avec le groupe MIR (Moyen InfraRouge).

•Etudier le dessin de la photodiode avec un code de dérive diffusion de manière à minimiser le courant d'obscurité et la tension de fonctionnement.

•Réaliser à l'aide de l'équipe d'épitaxie des couches de matériaux III-V par épitaxie par jets moléculaires (MBE) afin d'une part de valider le banc de mesure et d'autre part de mettre aux point les premières briques technologiques pour la réalisation du futur détecteur infrarouge.

Thales s'engage pour l'emploi et l'insertion des personnes en situation de handicap. A ce titre, notre établissement Thales Research&Technology France est reconnu Organisme Handi-Accueillant

Tous nos stages sont conventionnés et soumis à une gratification dont le montant est déterminé selon votre niveau d'études.